三极管怎么就产生高频？

三极管怎么就产生高频？~

三极管基础知识及检测方法 一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。 如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。 金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。 常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。 三、 常用中小功率三极管参数表型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G C8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190 C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 200 2N5551 SI-NPN 0.625 600 180 2N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 100 2N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300 四、用万用表测试三极管（1） 判别基极和管子的类型 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。（2）判别集电极 因为三极管发射极和集电极正确连接时β大（表针摆动幅度大），反接时β就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。（2） 电流放大系数β的估算 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，β值越高。

根据要求加一个高频谐振电路就行了

三极管基础知识及检测方法 一、晶体管基础 　　 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。　　如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。　　金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子枣空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。　　常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。 三、 常用中小功率三极管参数表型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G C8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190 C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 200 2N5551 SI-NPN 0.625 600 180 2N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 100 2N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300 四、用万用表测试三极管（1） 判别基极和管子的类型　　 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。（2）判别集电极　　 因为三极管发射极和集电极正确连接时β大（表针摆动幅度大），反接时β就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。（2） 电流放大系数β的估算　　 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，β值越高。

你自己想来做什么用？9012，9014，9015，9016是音频管。8050，8550是小功管，9011是高频管！

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让胡路区13732628021： 三极管怎么就产生高频? - ？
塞皇蓉生： 高频三极管一般应用在VHF、UHF、CATV、无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器上,这些使用场合大都用在低电压、小信号、小电流、低噪声条件下,其功率最大2.25瓦,集电极电流最大500毫安,其在使用过程中的选用原则为:(1...

让胡路区13732628021： 为什么三极管分高频和低频? - ？
塞皇蓉生： 因为信号的频率分高频和低频.之所以要如此区分的原因是,电子电路中有时候会直接用到电容或电感这两样电抗性质元件.即使是没有直接用到这样的原件,但是整个电路其他元件也存在等效电容和等效电感.而电容和电感对电流的阻碍和移相作用跟电流(电压)的频率,电容(感)的电容(感)量有关. 三极管内部的两个PN结也存在等效结电容,它的大小直接决定了某一频率信号在管子自身上的损耗大小.所以要区分一下.

让胡路区13732628021： 为什么三极管分高频和低频? - ？
塞皇蓉生： 三极管分高频和低频原因由下: 1,当年低频管耗散功率小,做低频放大需注意功率,别的没什么.另外高频管价格几倍于低频管,经济上太亏. 2,退藕不好容易自激. 3,高频管线性不如专用低频管 4,高频管在低频电路很好用,没问题,但要像2楼说的那样,如果是锗管,要考虑耗散功率.

让胡路区13732628021： 三极管的频率特性,请高手解释下 - ？
塞皇蓉生： 简要的把你提的问题回答一下. 1.在工作频率升高时,三极管电流放大倍数下降主要是两个原因:级间电容(PN结电容效应)和基区电荷存储效应.这两种均表现为电容效应. 以C-B 间的电容效应为例,简单的说,在高频情况下,Ib等于有了...

让胡路区13732628021： 怎样使三极管快速导通和关断以产生高频振荡电路呢,请附图并加以解释! - ？
塞皇蓉生： 有这样的经典电路,多谐振荡器,百度一下就知道了多谐振荡器:利用深度正反馈,通过阻容耦合使两个电子器件交替导通与截止,从 自激多谐振荡器而自激产生方波输出的振荡器.常用作方波发生器.多谐振荡器是一种能产生矩形波的自激振荡器,也称矩形波发生器.“多谐”指矩形波中除了基波成分外,还含有丰富的高次谐波成分.多谐振荡器没有稳态,只有两个暂稳态.在工作时,电路的状态在这两个暂稳态之间自动地交替变换,由此产生矩形波脉冲信号,常用作脉冲信号源及时序电路中的时钟信号.http://baike.baidu.com/view/746794.htm 图在这里

让胡路区13732628021： 高频三极管和低频三极管是怎么一回事? - ？
塞皇蓉生： 频率响应特性不一样.高频信号的放大用高频三极管,比如无线电波接收到后的信号放大线路里面用高频三极管,低频和功率放大用低频三极管,比如无线电信号被高频管放大后,经过各种处理变成音频信号,这时候用低频三极管把音频信号放大后驱动喇叭才能被人听到.

让胡路区13732628021： 三极管的频率特性.怎理解啊? - ？
塞皇蓉生： 当频率很高时,由于结电容等原因,三极管的电流放大倍数会减低,频率特性曲线就是表达这种关系的.还有个频率特性参数叫单位增益带宽,是指当三极管电流增益降到1时的频率,高于此频率时,三极管完全失去电流放大作用.

让胡路区13732628021： 无线话筒的工作原理是什么啊 - ？
塞皇蓉生： 电路非常简洁,没有多余的器件.高频三极管V1和电容C3、C5、C6组成一个电容三点式的振荡器,对于初学者我们暂时不要去琢磨电容三点式的具体工作原理,我们只要知道这种电路结构就是一个高频振荡器就可以.三极管集电极的负载C4、L组成一个谐振器,谐振频率就是调频话筒的发射频率,根据元件的参数发射频率可以在88~108MHz之间,正好覆盖调频收音机的接收频率,通过调整L的数值(拉伸或者压缩线圈L)可以方便地改变发射频率,避开调频电台.发射信号通过C4耦合到天线上再发射出去.

让胡路区13732628021： 三极管的频率是什么意思,频率高低有什么影响?请高手指点一下谢谢急用!!! - ？
塞皇蓉生： 三极管的频率是由于在制造时候工艺、材料以及考虑功耗等因素产生的极间电容导致的.电容小的三极管对应的工作频率就高,反之就低. 因为极间电容充放电需要时间,高频率的信号可能会产生失真,所以三极管都有一个上限截止频率. 三极管的频率高,就可以用在高频小信号电路中,反之,就只能用在低频信号中.

让胡路区13732628021： 什么是中高频放大三极管? - ？
塞皇蓉生： 三极管也好,二极管也好,半导体类 都有一个特点 就是必须满足它的基本导通电压 而这个导通电压就是它的压降,任何电子元件都纯在一个事实,那就是脚与脚之间纯在一个 因设计组合封装必然产生的现象,就是都有 微电容 微电感 微电阻 而这些因素会导致 半导体的两极之间的电压变化不是瞬态,而是有一定时间的,电压首先需要升高到基本的导通电压 才能工作,于是 三极管 根据设计不同 就产生不同速度级别.当放大信号是一个突高突低的信号源 时 那么我们可以说这个信号源会有一个最高频率 比如:K级别 M 级别 G 级别 同样选用三极管时就要考虑三极管的 频率级别了.