ddr4的内存条爱ddr3强多少

ddr4的内存条强多少钱？~

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　　对于DDR4与DDR3内存条，很多电脑玩家都想知道DDR4与DDR3哪个好?哪个值得购买?下面就测试一下DDR3 2400MHz内存与DDR4 2400MHz内存之间，它们的性能差距到底有多大。新的一定比旧的强吗? 　　内存测试是比较无聊的，目前在各大硬件中，内存的频率往往也是最容易被忽略的，反倒是内存的容量，要比内存的频率受关注度要更高一些。当然内存容量多大为最佳，是16G还是8G，亦或是4G，还是看用户的使用习惯了，现在有人还在拿1G，2G内存在用，也不是什么稀奇事。 　　言归正传，先展示一下测试使用的二款内存，一款是芝奇的DDR3内存，型号为芝奇TridentX 8GB DDR3 2400(F3-2400C10D-8GTX)，另一款是宇瞻的DDR4内存，型号为宇瞻突击队Commando DDR4 2400。 　　一：DDR4 2400MHz 　　首先测试DDR4内存。 　　宇瞻突击队Commando DDR4 2400内存外观比较个性，有种军事的风格，至于像什么，我就不多说了，那字太容易成为违禁字了。 　　内存的规格为4GB UNB PC4-19200 CL 16-16-16-36，其中PC4代表台式机DDR4。19200是用带宽来命名，2400*64/8=19200(内存带宽的计算公式：带宽=频率*位宽/8)，2400是DDR等效频率，16-16-16-36是内存的时序。 　　再晒下此内存条的重量，约为34g。 　　选取套装中的二根内存(此套装内存一共是四根)，组成8G双通道平台。 　　开启XMP选项，频率直接为2400MHz。不要问我怎么开，为什么要开?这是很难回答的问题。前者主板的说明书里都有详细的介绍，不少主板都略有不同。 　　后者花钱买的是2400MHz内存，难不成非要在2133频率下使用?那还不如干脆买个2133MHz的内存呢，还更省钱。当然也有人买了2400Mhz内存，就喜欢不开XMP，在2133MHz下使用，这也很正常。 　　测试平台的硬件情况展示。 　　内存的信息展示。 　　看一下内存的性能得分，为11226。 　　CPU-Z的信息，内存频率为2400MHz，时序为16-16-16-36 　　AIDA64软件中，内存在2400MHz频率下的得分展示。在Memory Benchmark测试中，Read、Write、Copy的速度(单位MB/S)分别是34451、35150、30117。

1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状
2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz
3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB
4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低
很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存
其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。
第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。
频率和带宽提升巨大　
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计
Bank Group架构又是怎样的情况？具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。
在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。
因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
容量剧增 最高可达128GB
3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。
3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠；另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。
所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
更低功耗 更低电压
更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V
首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似）、DBI（Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作）等新技术。
这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗最直接的方法是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。

DDR3和DD4内存性能能过鲁大师和3Dmark11的测试得出差距几乎为零。

原因请看下图：

用i5-6500处理器，一台机器用DDR3-1866内存（实际发挥ddr3-1600 c1=10的性能），另外一台用ddr4-2133内存，整机性能几乎一样。

DDR4的延迟值较大，而ddr3延迟值较小，因此性能打个平手。

另外，就算用更高频率的ddr4,对整机性能提升也很小，因为内存不是瓶颈，瓶颈是硬盘。

首先我们来看看两者的区别，如下：
1、DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。
2、带宽方面，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。
从内存的核心指标来看，DDR4内存性能相比DDR3会有很大的提升，最高性能提升可以高达70%以上。
另外值得一提的是，DDR4内存工作电压更低了。此前，DDR3所需的标准电源供应是1.5V，而DDR4降至1.2V，移动设备设计的低功耗DDR4更降至1.1V，工作电压更低，意味着功耗更低。

ddr3最高频率是1866而ddr4的起始频率就是2133现在的DDR4已经普遍是2800+的频率，差别可想而知

主要你要看 核心的频率

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宁蒗彝族自治县14779275545： ddr4的内存条比爱ddr3强多少? ？
尉迟宏黄豆： 功耗以及DDR4内存的支持方面

宁蒗彝族自治县14779275545： 玩游戏的话内存条ddr4比ddr3性能提升多少？
尉迟宏黄豆： 1.DDR4内存条外观变化明显,金手指变成弯曲状2.DDR4内存频率提升明显,可达4266MHz3.DDR4内存容量提升明显,可达128GB4.DDR4功耗明显降低,电压达到1.2V、甚至更低.对独显主机提升很小,最高提升10%的游戏性能.但对apu和集显的游戏性能能比1600的ddr3提升最高40%

宁蒗彝族自治县14779275545： 提问升级DDR4内存对电脑性能 看看比DDR3快多少说下吗？
尉迟宏黄豆： DDR4内存2133MHz频率起步在DDR3时代,2133MHz已经算是高频率,再往上很难有所突破,2400MHz、2800MHz已经是极限;而DDR4内存直接2133MHz起步,2400MHz也就是入门级频率,最高可达到4266MHz,超频之后,DDR4内存频...

宁蒗彝族自治县14779275545： 台式机的内存条ddr4比ddr3还快吗？
尉迟宏黄豆： 首先,DDR4内存是DDR3的升级版,属于下一代版本,别看DDR3依旧是主流,但今后大多数新平台电脑都会逐渐普及DDR4,这主要是由于DDR4性能更强,并且功耗更低,而价格与DDR3相差无几.决定内存性能最重要的方面在于 频率 和 ...

宁蒗彝族自治县14779275545： ddr3与ddr4的内存差距有多大?有必要换么? - ？
尉迟宏黄豆： 提升不小,但是完全没必要换,换ddr4,主板cpu都得换,等于买台新电脑

宁蒗彝族自治县14779275545： 内存频率相同,DDR3与DDR4性能差距有多大？
尉迟宏黄豆： 差距不大.1600频率的三代内存性能基本和四代的2133差不多.但是四代是趋势.现在装全新的电脑肯定是推荐四代的.当年刚出三代内存也和二代的比较过,现在谁还提二代内存.

宁蒗彝族自治县14779275545： DDR3和DDR4性能差距有多大？
尉迟宏黄豆： 同频率下差距不是很大,反而DDR4的延迟比DDR3还要搞那么一小点,不过DDR4就是主打高频率了DDR4能提升到3000以上.现在DDR3也就2100.所以频率高的性能领先还是比较客观的,如果是DDR3 2100 和DDR4 2400那基本就没有太大优势.

宁蒗彝族自治县14779275545： 相同内存频率情况下 DDR3和DDR4性能差距大吗？
尉迟宏黄豆： 相同频率下,不同代的内存性能差距较大.同频率下,DDR3内存性能优于DDR4内存.这也是为什么频率越来越高的原因.高代数的内存,频率高,才有性能优势.比如DDR3出来的时候,频率就是以1066起跳,性能也就是DDR2 800的水平.只有DDR3 1333,性能相比DDR2 800才有优势.

宁蒗彝族自治县14779275545： 有人知道DDR4和DDR3内存实际体验差别大么 - ？
尉迟宏黄豆： 频率差不多的情况下DDR3还略胜因为DDR4内存现在出来的时序都不好,不如DDR3等再过一段或者高频的如DDR4 3200这种 性能能比DDR3强些但实际你体验不出区别的.

宁蒗彝族自治县14779275545： 请问大神DDR4比DDR3快吗? - ？
尉迟宏黄豆： 2133频率的ddr4不比ddr3 1600快.但是ddr4内存的频率升级空间很大.达到ddr4 2400及以上的频率运行的话肯定是比ddr3的快的.