请问这个mos管是什么品牌的，是不是杂牌呢。
这个是台湾大中集成电路出的MOS管。公司商标：sinopower。你这个件是N沟道增强型MOS场效应管。型号全称是SM4337NSKP。DFN5X6A-8_EP封装。丝印第二行为单号。30V/55A。
是一个圈一个M和下划线吗？如果是这个符号就是摩托罗拉的。
建议你照个清晰的照片
不是杂牌，这是一颗N沟道增强型场效应晶体管，是台产尼克森微电子出品，NIKOS是NIKO-SEM的缩写。下图是这款MOSFET的参数表。
mos管是什么东西呢
现在来说MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。
美系：IR ST 仙童 安森美 TI PI 英飞凌；
日系：东芝 瑞萨 新电元；
韩系：KEC AUK 美格纳 森名浩 威士顿 信安 KIA；
台系:APEC CET ；
国产：吉林华微 士兰微 华润华晶 东光微 深爱半导体。
扩展资料
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能；这样的器件被认为是对称的。
场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化；FET的增益等于它transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影
一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。
这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。
金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。
MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。
这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。
大学数电问题。在数字电路中MOS管工作在输出特性的什么区域(截止区...
数电中，MOS管相当于开关，工作于可变电阻区或截止区：其工作于可变电阻区时，相当于开关闭合，其工作于截止区时，相当于开关断开。
看一下这个MOS管电路哪里有问题
RES2不能接，，控制信号要共地，就是隔离也要做好地处理，N管，G极一般处理下拉地
关于增强型mos管(N沟道)的一些问题
1. 源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。2. 栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。漏-衬底-源寄生三极管无电流的原因是：在正常工作条件下，衬底（寄生三极管基区）电势最低，因此寄生三极管...
我想问一下mos管三个引脚怎么区分
mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样...
高分请教MOS管问题
3.接到VDD的是PMOS，接到VSS的是NMOS。是为了保证衬底电位的稳定。因为沟道的形成就是靠Gate端和衬底B之间的压差，即我们通常说的开启阈值。4.参考第一条的解答，栅极是最左边的竖线或和这条竖线相连的横线 5.理论上，真正的沟通只在栅极和衬底之间，及长竖线和中间短竖线之间。MOS符号和实际的物理...
笔记本硬件维修的高手来,问一个MOS管元件
是常用的 mos管代换比较简单 耐压 功率 足够就可以了 当然p n管必须分清楚 一般的芯片级维修必备的元器件
达林顿管和MOS管的选择问题
1、以我的经验，如果你要精确控制，最好是用大功率的三极管（非达林顿的），其次是N-MOSFET，达林顿的一些效应比较特殊，控制起来比前两者都麻烦。2、如果可以，不要用PNP管或者P-MOSFET，这些管子的成本高，控制比较麻烦，性价比很低，不如NPN和N-MOSFET。
电路中MOS管损坏问题
你好：——★1、MOS管属于电压控制器件，它的输入阻抗非常高，很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。——★2、请看附图。...图中100K电阻和9V稳压二极管作保护，可以把感应静电限制、消除。因为MOS管属于电压控制器件，100K电阻不影响MOS管的开关状态。
台灯坏了,不亮,经过简单检测发现是控制亮度的电路出了问题
估计是可控硅调光电路，貌似mos管的大有可能是可控硅，稳压管是双向二极管如DB3，2A683是0.068uF电容，一般是可控硅失效或损坏，换上新的应该就可以。
想问一下,这个显卡的散热要怎么拆卸?
这不是显卡的散热，你指的地方是mos管的散热，一般情况是不用拆下来的，而且这下面使用的的不是硅脂，通常是导热垫。要拆这个还要连北桥散热一起拆，这两个散热用热管连着的。一定要拆的话建议你把主板拆下来，反面有塑料卡子的膨胀头。
管峰苏适： 不是杂牌,这是一颗N沟道增强型场效应晶体管,是台产尼克森微电子出品,NIKOS是NIKO-SEM的缩写.下图是这款MOSFET的参数表.
海北藏族自治州15320558195： SLKOR 有看到过这个牌子的MOS管,这是哪国的品牌,质量怎样? - ？
管峰苏适： 是韩国品牌,中文叫萨科微电子,主要是功率器件,质量跟IR、仙童这些差不多
海北藏族自治州15320558195： mos管tma是什么品牌 - ？
管峰苏适： 目前市面上主流采用的MOS管有ST、ON(安森美)、infineon、fairchildsemi(仙童(飞兆半导体))、台湾富鼎先进、台湾茂达、aosmd等…….铭瑄采用最多的是ST. Infineon:(英飞凌) ON(安森美) fairchildsemi(仙童/飞兆半导体) 美国ST 台湾富鼎:台湾aosmd 台湾茂达
海北藏族自治州15320558195： IRF场效应管的中文品牌叫什么 - ？
管峰苏适： 高压MOS管,生产厂商:西门子半导体、意法半导体(ST)等
海北藏族自治州15320558195： 谁知道KIA品牌的MOS管怎样?最近经常听一些朋友说起这个品牌 - ？
管峰苏适： 1、这个品牌在消费类在工业类都比较少接触到,不知道你是应用在什么产品上呢? 2、不管哪个行业,最好的肯定是英飞凌啦,特别是C3系列的比一般的品牌要高一个档次. 3、其次低压比较出色的是IR,高压的也不少,比如仙童,富士,ST.而东芝的现在在消费类才比较有市场,还有韩系,台系的,最后就是国产的了. 4、现在市场上新推的Cool-Mos,英飞凌的也是最好.然而富士的SJ-MOS性价比相对其他就比较高.目前大量用在通信电源、光伏逆变这些方面.
海北藏族自治州15320558195： 我想请问有人知道这两个MOS管究竟是什么型号的 - ？
管峰苏适： 第一个:全型号是IRFR5305, P沟道MOS,封装是TO-252,厂家是IR,脚位是GDS,参数是31A 55V.第二个不清楚,估计是Ni沟道MOS 20A600V GDS脚位,这个是猜的.
海北藏族自治州15320558195： Y1 MOS管代码是什么品牌 - ？
管峰苏适： Y1 这个应该不是MOS管 应该是晶体三极管
海北藏族自治州15320558195： MOS管sss是什么牌子的 - ？
管峰苏适： SSS4N60是仙童的管子,所以你说的SSS开头的MOS管应该是仙童的吧
海北藏族自治州15320558195： RI是什么品牌的MOS管?有谁知道吗? - ？
管峰苏适： 你确定是RI不是IR?国际整流器公司 (简称IR) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商.IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能运算设备及降低电机的能耗 (电机乃全球最大之耗能设备) ,...
海北藏族自治州15320558195： 有没有MOS管性价比和质量比较好一点的.推荐一下 - ？
管峰苏适： 要多大电压多大电流,什么封装的 高功率MOS可以选APT(Microsemi)、Infineon、IR(低压MOS事业部卖给Vishay了,可以去VISHAY选)、Fairchild这几家 小信号MOS主要Infineon、Vishay、Fairchild、强茂、三洋、Philips 大功率IGBT可选日本的一对牌子:三菱、富士、三洋
